ASML yüksək tranzistor sıxlığı çip dizaynının sərhədlərini aşmaq məqsədi daşıyan "Hyper-NA" adlı yeni fotolitoqrafiya aləti üçün planlarını açıqladı. Keçmiş ASML prezidenti Martin van den Brinkin sözlərinə görə, qlobal tədqiqat təşkilatı Imec Hyper-NA EUV texnologiyasının ilkin inkişaf mərhələsində olduğunu təsdiqləyib. Intel artıq Oreqon yarımkeçirici zavodunda Hyper-NA sistemi quraşdırıb. Yeni texnologiya 0.33-cu ilə qədər 0.55 NA-a çatmaq məqsədi ilə ədədi aperturanı (NA) 0.75-dən 2030-ə yüksəldəcək. Bu irəliləyiş növbəti onillikdə 2 nm-dən çox olan proses qovşaqlarını dəstəkləyəcək.

Imec-dən Kurt Ronse vurğuladı ki, Hyper-NA EUV əhəmiyyətli bir addımdır, davam edən tədqiqatlar 0.55-dən yuxarı NA-nı hədəfləyir, 0.85 NA-nı hədəfləyir. Çətinliklərə kontrast və səmərəliliyə təsir edən işıq qütbləşməsi daxildir. ASML TSMC, NVIDIA, Apple və AMD kimi əsas müştərilərə xidmət göstərən yüksək sıxlıqlı tranzistorlar üçün EUV alətlərinin yeganə istehsalçısı olaraq qalır.

Intel-in Hyper-NA sistemlərinin bu yaxınlarda quraşdırılması TSMC-nin 2 nm prosesinə potensial olaraq uyğunlaşaraq, ayırdetmə qabiliyyətini və funksionallığı artırır. Samsung, Micron və SK Hynix də Hyper-NA texnologiyasını araşdırırlar. Hyper-NA-nın ikiqat naxışla bağlı xərcləri və mürəkkəbliyi azaldacağı gözlənilir. Nanoimprint litoqrafiyası kimi alternativlər daha az ötürmə qabiliyyətinə malikdir və çox şüalı elektron şüa litoqrafiyası problemlərlə üzləşir.

Fotolitoqrafiya ilə yanaşı, tranzistorların daha da miniatürləşdirilməsi fiziki hədlərə yaxınlaşır. Silikonu əvəz etmək üçün daha yüksək elektron hərəkətliliyi olan yeni materiallar lazımdır, çökmə və aşındırma problemləri yaradır. Bu irəliləyişlərə baxmayaraq, silikon xüsusi təbəqələri gücləndirən yeni materiallarla əsas olaraq qalacaq.