作为半导体工业中的核心，芯片制造是最关键也是最难的，进入10nm节点乐山屐台积电、Intel、三星三家公司选择继续玩下去。表面来看Intel 的进度是最慢皶店两家的工艺“水分”也不小，三星的3nm工艺密度才跟Intel 的7nm差不多。  
  Digitimes日前发表了研究报告，分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题，对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。  
   
  在10nm节点，三星的晶体管密度只有0.52亿/mm2，台积电是0.53亿/mm2，Intel已经达到了1.06亿/mm2，密度高出一倍左右。  
  7nm节点，三星的工艺密度是0.95亿/mm2，台积电是0.97亿/mm2，Intel的7nm则是1.8亿/mm2，依然高出80%以上。  
  再往后的5nm节点上，三星实现了1.27亿/mm2的密度，台积电达到了1.73亿/mm2，Intel的目标是3亿/mm2，三星与其他两家的差距愈发拉大。  
  到了3nm节点，台积电的晶体管密度大约是2.9亿/mm2，三星只有1.7亿/mm2，Intel的目标是5.2亿/mm2。  
  2nm节点没多少数据，IBM之前联合三星等公司发布的2nm工艺密度大约是3.33亿/mm2，台积电的的目标是4.9亿/mm2。  
  以上数据其实不能100%反映各家的技术水平，还要考虑到性能、功耗、）不能其实不能定律关注的密度来看，Intel在这方面基本还是按照之前的规范走的，三星、台积电工艺宣传注水也不是什么新闻了。  
 

当然，三星这方面的浮夸可能更多一些，3nm节点的密度也不过是Intel的7nm，方面的浮夸可能更多一些，够直逼IBM 5nm水平，不知道这该说Intel太老实还是其他公司太滑头呢?

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