1万伏！！国产GaN又创全球最高记录

Buraxılış vaxtı: 2022-03-17Müəllif mənbəyi: SlkorBaxın: 4600

son,苏州晶湛半导体官网宣布，其[敏感词]研发的GaN器件创造了一个新纪录-击穿电压超过了10kV，“这是迄今为止全球[敏感词]值”.

更为重要的是，该器件的GaN外延结构是基于蓝宝石衬底，因此制备成C本比SiMəsələn, 2-3.晶湛认为，这项突破有助于氮化镓打入电动汽车、电网和轨道交通等高压应用领域，具有广阔的潜力。

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创新外延架构

创造全球[敏感词]记录

根据晶湛介绍，他们与美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）合作攻关，制备了一款GaN SBD，成功实现了超过10kV的超高击穿的超高击穿电超高击穿电超高击穿电超高击穿电压䘿厺厺器件击穿电压的[敏感词]记录。

6-1 may，CPES也公布了这件事。

经过测量，晶湛制备的其中一款氮化镓器件的击穿电压约为11kV。高达3kV反向偏置的电容-电压测量结果显示，其电容能量损失仅为1.6μJ/mm.

而且，在实现10kV的超高击穿电压的同时，该器件的巴利加优值高达2.8GW⁄sm2，导通电阻率低至39mΩ∙sm2，远低于10kV耐压的SiC SBD.

这项技术突破的关键技术有两个，包括苏州晶湛的新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片, eləcə dəpGaN降低表面场技术(RESURF).

其中，晶湛的氮化镓外延材料结构包括：20nm p+GaN/350nm p-GaN帽层，以及23nm Al0.25Ga0.75N/100nmGaN本征层的5个沟道。

1:多沟道AlGaN/GaN SBD器件结构图

基于蓝宝石

比SiC便宜3倍

据了解，这种外延结构是晶湛团队通过MOCVD方法在4英寸的蓝宝石衬底上单次连续外延实现，无需二次外延，由于采用廉价的蓝宝石衬底哝宝石衬底哝宝石衬底哝宝石衬底和水延并哶的制备成本远低于SiC二极管.

该团队指出，与4英寸SiC相比，4英寸蓝宝石基GaN晶圆的成本降低了2-3 倍左右。再加晶湛器件的芯片尺寸更小，因此该器件的材料成本远低于同级湛器件的芯片尺寸更小，加工成本也比SiC低。

此外，该团队经过估算，10kV、0.3A RESURF器件的开关品质因数为15.7nCV，3.3kV, 0.3ASIC SBD为30.8nCV.

图2:晶湛SBDdigəri iləGaN,SiC、氧化镓SBD的导通电阻和BV基准的对比情况（虚线为理论极限）。

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