SL2P10A P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

P-Kanal MOSFET, -100V Vdss, -2A Id, 560mΩ RDS(ON) və -2V Vgs(th). Mənfi gərginliyə nəzarət tələb edən tətbiqlərdə səmərəli enerji keçidi üçün uyğundur.

● Super aşağı qapı şarjı
● Əla Cdv/dt effektinin azalması
● Yaşıl Cihaz Mövcuddur 

Məlumat cədvəlini yükləyin araşdırma

Bizim üstünlüklərimiz
Çin istehsal prosesləri illərlə iterasiyadan keçdi, nəticədə yetkin və etibarlı texnologiyalar yarandı. Bir çox beynəlxalq korporasiyalar Çində istehsal autsorsinqinə üstünlük verirlər. Çində elektron komponentlər istehsalçısı olaraq, bizim məhsullarımız sınaq yoxlamasına ehtiyac olmadan tətbiqlərin 99%-də əsas beynəlxalq brendlərin məhsullarını tam əvəz edə bilər. Məhsullarımız keyfiyyət, münasib qiymət, geniş inventar, çevik təchizat, qısa çatdırılma müddətləri və peşəkar satış sonrası xidmətdə yüksək ardıcıllıqla öyünür. 


Ümumi təsvirlər

Bu P-Kanal MOSFET mükəmməl R-ni təmin etmək üçün qabaqcıl xəndək texnologiyasından və dizaynından istifadə edirDS(aktiv) aşağı qapı yükü ilə. Çox müxtəlif tətbiqlərdə istifadə edilə bilər.


Xüsusiyyətləri

● Super aşağı qapı şarjı

● Əla Cdv/dt effektinin azalması

● Yaşıl Cihaz mövcuddur 

● Qabaqcıl yüksək hüceyrə sıxlığı Xəndək texnologiyası


Applications

● Video monitor

● Güc idarəetməsi

Məhsulun Xülasəsi

VDS RDS(ON) MAX ID MAX
-100V650mΩ@10V -2A
700mΩ@4.5V



Fayl adı Mövzu Təsvir: Hər maşın üçün dəqiq və cəlbedici təsvir yazmağınız daha yaxşı olar. Bunun üçün chat.openai.com saytına daxil olaraq, orada aşağıdakı kimi sorğu yarada bilərsiniz: "Create the most powerful SEO-friendly text about [avtomobil modeli] for rentacarXNUMX.az site." Qeyd: "[avtomobil modeli]" yerinə təsvirini yazmaq istədiyiniz avtomobilin adını qeyd edin.
SL2P10A-SOT-23.pdf SL2P10A SOT-23 -
Təklif-65-Uyğunluq-Hesabat_1.pdf Təklif 65 Uyğunluq Hesabatı_1 -
Təklif-65-Uyğunluq-Hesabat_2.pdf Təklif 65 Uyğunluq Hesabatı_2 -
REACH.pdf REACH -
RoHS-1.pdf RoHS -

Dəstək

Dizayn/texniki dəstəyə ehtiyacınız varsa, bizə bildirin və doldurunCavab formasıƏn qısa müddətdə sizə qayıdacağıq.


uzunömürlülük

Uzun Ömür Proqramı müştərilərimizə məhsullarımızın sifariş verilə biləcəyi gözlənilən vaxt haqqında zaman-zaman məlumat vermək məqsədi daşıyır. NLP icraçı İdarəetmə Qrupumuz tərəfindən mütəmadi olaraq nəzərdən keçirilir və yenilənir. Bax bizimuzunömürlülük proqramıburada.

Baş products

SL2301D-正面

SL2301D P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge

FDN304P-正面

FDN304P P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge

Slkor SL2P10A

SL2P03F P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Yüksək güc və cari ötürmə qabiliyyəti ● Qurğuşunsuz məhsul alınır ● Səthə montaj paketi

Slkor SL2P10A

SL3423 P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Yaşıl Cihaz Mövcuddur ● Əla CdV/dt effektinin azalması ● Qabaqcıl yüksək hüceyrə sıxlığıTrench texnologiyası

FDN338P-正面

FDN338P P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge

FDN302P-正面

FDN302P P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET texnologiyası ● Aşağı RDS(ON) üçün yüksək sıxlıqlı hüceyrə dizaynı ● Yüksək Sürətli keçid

FDN306P-正面

FDN306P P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET texnologiyası ● Aşağı RDS(ON) üçün yüksək sıxlıqlı hüceyrə dizaynı ● Yüksək Sürətli keçid

FDN340P-正面

FDN340P P-Kanal Təkmilləşdirmə MOSFET SOT-23

● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge

Xidmət qaynar xətti

+ 86 0755-83044319

Güc idarəetməsi

Tranzistor

WeChat

WeChat vasitəsilə qoşulun