Yüksək tezlikli Schottky maneə diod quruluşu ilə SiC SBD 600V-dan çox yüksək gərginliyə nail olur, silikon SBD-nin maksimum dayanıqlı gərginliyi cəmi 200V və ya daha çoxdur və onun vəziyyətində gərginlik düşməsi silikon sürətli bərpa diodundan xeyli aşağıdır. onun bağlanmasının bərpa müddəti daha kiçikdir, buna görə də bağlanma itkisi daha azdır, nəticədə daha aşağı elektromaqnit müdaxilə EMI. SiC SBD-nin əsas məhsulu olan silikon sürətli bərpaedici diod FRD-ni əvəz etmək üçün istifadəsi ümumi itkini əhəmiyyətli dərəcədə azalda bilər, enerji təchizatının səmərəliliyini artıra bilər və induktorlar və kondansatörlər kimi passiv komponentlərin miniatürləşdirilməsinə nail olmaq üçün yüksək tezlikli əməliyyat vasitəsilə , və elektromaqnit müdaxilə EMI daha aşağıdır. Silikon karbid SBD kondisionerlərdə, enerji təchizatında, fotovoltaik enerji istehsal sistemlərində çeviricilərdə, elektrik nəqliyyat vasitələri üçün motor-drag sistemlərində və sürətli şarj cihazlarında geniş istifadə edilə bilər.