Xidmət qaynar xətti
+ 86 0755-83044319
Silikon karbid SiC, adətən 4H-SiC kristal tipində olan silisium Si və karbon C-dən ibarət mürəkkəb yarımkeçirici materialdır. Onun izolyasiyanın parçalanma sahəsinin gücü Si-dən 10 dəfə, enerji boşluğu Si-dən 3 dəfə, istilik keçiriciliyi Si-dən 3 dəfə, doyma sürüşmə sürəti Si-dən 2 dəfədir. Si-dən çox üstün güclü elektron cihaz materialıdır.
Sayt haqda məlumat | 萨科微 | 金航标 | Slkor | Kinghelm
RU | FR | DE | IT | ES | PT | JA | KO | AR | TR | TH | MS | VI | MG | FA | ZH-TW | HR | BG | SD| GD | SN | SM | PS | LB | KY | KU | HAW | CO | AM | UZ | TG | SU | ST | ML | KK | NY | ZU | YO | TE | TA | SO| PA| NE | MN | MI | LA | LO | KM | KN
| JW | IG | HMN | HA | EO | CEB | BS | BN | UR | HT | KA | EU | AZ | HY | YI |MK | IS | BE | CY | GA | SW | SV | AF | FA | TR | TH | MT | HU | GL | ET | NL | DA | CS | FI | EL | HI | YOX | PL | RO | CA | TL | IW | LV | ID | LT | SR | SQ | SL | UK
Müəlliflik hüququ ©2015-2022 Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd
