Sürətli bərpa diodunun daxili strukturu PIN keçid dioduna aid olan adi PN qovşaq diodundan fərqlidir, yəni PİN-i yaratmaq üçün P-tipli silikon materialın və N-tipli silikon materialın ortasına əsas bölgə I əlavə edilir. silikon vafli. Baza bölgəsi çox incə olduğundan, tərs bərpa yükü çox kiçikdir, buna görə də sürətli bərpa diodunun tərs bərpa müddəti daha qısadır, irəli gerilim düşməsi daha azdır və tərs qırılma gərginliyi (gərginliyə tab gətirmə dəyəri) daha yüksəkdir.