3D modeli göstərin
Xidmət qaynar xətti
+ 86 0755-83044319
● Trench Power LV MOSFET texnologiyası
● Yüksək Güc və cari ötürmə qabiliyyəti
Bizim üstünlüklərimiz
Çin istehsal prosesləri illərlə iterasiyadan keçdi, nəticədə yetkin və etibarlı texnologiyalar yarandı. Bir çox beynəlxalq korporasiyalar Çində istehsal autsorsinqinə üstünlük verirlər. Çində elektron komponentlər istehsalçısı olaraq, bizim məhsullarımız sınaq yoxlamasına ehtiyac olmadan tətbiqlərin 99%-də əsas beynəlxalq brendlərin məhsullarını tam əvəz edə bilər. Məhsullarımız keyfiyyət, münasib qiymət, geniş inventar, çevik təchizat, qısa çatdırılma müddətləri və peşəkar satış sonrası xidmətdə yüksək ardıcıllıqla öyünür.
Ümumi təsvirlər
Bu N-Kanal MOSFET mükəmməl R təmin etmək üçün qabaqcıl xəndək texnologiyası və dizaynından istifadə edirDS(aktiv) aşağı qapı yükü ilə. Çox müxtəlif tətbiqlərdə istifadə edilə bilər.
Xüsusiyyətləri
● Trench Power LV MOSFET texnologiyası
● Yüksək Güc və cari ötürmə qabiliyyəti
Applications
● PWM tətbiqi
● Yük açarı
Məhsulun Xülasəsi
| VDS | RDS(ON) MAX | ID MAX |
| 20V | 47mΩ@4.5V | 4.7A |
| 65mΩ@2.5V |
| Fayl adı | Mövzu | Təsvir: Hər maşın üçün dəqiq və cəlbedici təsvir yazmağınız daha yaxşı olar. Bunun üçün chat.openai.com saytına daxil olaraq, orada aşağıdakı kimi sorğu yarada bilərsiniz: "Create the most powerful SEO-friendly text about [avtomobil modeli] for rentacarXNUMX.az site." Qeyd: "[avtomobil modeli]" yerinə təsvirini yazmaq istədiyiniz avtomobilin adını qeyd edin. |
|---|---|---|
| SL2016 SOT-23.pdf | SL2016 SOT-23 | - |
| Təklif-65-Uyğunluq-Hesabat_1.pdf | Təklif 65 Uyğunluq Hesabatı_1 | - |
| Təklif-65-Uyğunluq-Hesabat_2.pdf | Təklif 65 Uyğunluq Hesabatı_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Dəstək
Dizayn/texniki dəstəyə ehtiyacınız varsa, bizə bildirin və doldurunCavab formasıƏn qısa müddətdə sizə qayıdacağıq.
uzunömürlülük
Uzun Ömür Proqramı müştərilərimizə məhsullarımızın sifariş verilə biləcəyi gözlənilən vaxt haqqında zaman-zaman məlumat vermək məqsədi daşıyır. NLP icraçı İdarəetmə Qrupumuz tərəfindən mütəmadi olaraq nəzərdən keçirilir və yenilənir. Bax bizimuzunömürlülük proqramıburada.
● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge
● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge
● Yüksək güc və cari ötürmə qabiliyyəti ● Qurğuşunsuz məhsul alınır ● Səthə montaj paketi
● Yaşıl Cihaz Mövcuddur ● Əla CdV/dt effektinin azalması ● Qabaqcıl yüksək hüceyrə sıxlığıTrench texnologiyası
● Super Low Gate Charge ● Əla Cdv/dt effekti azalır ● Yaşıl Cihaz Mövcuddur
● Aşağı RDS(on) üçün aparıcı xəndək texnologiyası ● Aşağı Gate Charge
● Trench Power LV MOSFET texnologiyası ● Aşağı RDS(ON) üçün yüksək sıxlıqlı hüceyrə dizaynı ● Yüksək Sürətli keçid
● Trench Power LV MOSFET texnologiyası ● Aşağı RDS(ON) üçün yüksək sıxlıqlı hüceyrə dizaynı ● Yüksək Sürətli keçid
